Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston 9905701-029.A00G 16GB

総合得点

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

総合得点

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

38 41

周辺 7% 低遅延

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

考慮すべき理由
Kingston 9905701-029.A00G 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

14.7 7.2

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

7.7 3.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 12800

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Kingston 9905701-029.A00G 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

38 41
読み出し速度、GB/s

7.2 14.7
書き込み速度、GB/秒

3.0 7.7
メモリ帯域幅、mbps

12800 19200

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

915 2186

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Kingston 9905701-029.A00G 16GB

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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

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G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB

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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

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Samsung 9905599-020.A00G 16GB

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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

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Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB

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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB

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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

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Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

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AMD R7416G2133U2S 16GB

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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

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Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB

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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB

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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

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