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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston 9905701-029.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
41
读取速度,GB/s
7.2
14.7
写入速度,GB/s
3.0
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2186
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
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