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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Kingston 9905701-029.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
41
读取速度,GB/s
7.2
14.7
写入速度,GB/s
3.0
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2186
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
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