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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比較する
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
総合得点
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
総合得点
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
43
周辺 12% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15
7.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
3.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
12800
周辺 1.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
43
読み出し速度、GB/s
7.2
15.0
書き込み速度、GB/秒
3.0
13.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
23400
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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