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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
43
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
43
读取速度,GB/s
7.2
15.0
写入速度,GB/s
3.0
13.0
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
2794
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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