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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
比較する
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
総合得点
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
41
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
11.6
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.3
6.7
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
31
41
読み出し速度、GB/s
9.8
11.6
書き込み速度、GB/秒
6.7
7.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
10600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1304
1438
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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