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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
比较
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
31
41
读取速度,GB/s
9.8
11.6
写入速度,GB/s
6.7
7.3
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1304
1438
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB RAM的比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
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