RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 38
    周辺 29% 低遅延
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB 考慮すべき理由
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.4 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    12.2 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1763 left arrow 3147

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
メモリRAM