RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
38
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
3147
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link