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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
48
周辺 4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
11.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
48
読み出し速度、GB/s
14.2
11.6
書き込み速度、GB/秒
13.6
8.4
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2717
2466
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
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