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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston KMKYF9-MIB 8GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
35
周辺 37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
10.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
22
35
読み出し速度、GB/s
17.7
13.9
書き込み速度、GB/秒
12.7
10.0
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3075
2434
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAMの比較
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
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