RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Kingston KMKYF9-MIB 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
35
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
35
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
13.9
Скорость записи, Гб/сек
12.7
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2434
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link