RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
71
Около -209% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
2726
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link