RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
71
Wokół strony -209% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2726
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link