RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
2776
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link