RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.7
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2776
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link