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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
15.7
写入速度,GB/s
7.5
11.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2776
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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