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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
総合得点
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
32
周辺 31% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
16.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.7
12.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
22
32
読み出し速度、GB/s
17.7
16.5
書き込み速度、GB/秒
12.7
12.5
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
3075
3083
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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