RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Kingston XRGM6C-MIB 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
32
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3083
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link