RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Kingston XRGM6C-MIB 16GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
32
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.7
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
3083
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link