SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

総合得点
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

相違点

  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.9
    テスト平均値
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 77
    周辺 -108% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 1,884.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    2,936.9 left arrow 16.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,884.0 left arrow 13.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    564 left arrow 3170
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較