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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
総合得点
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
47
周辺 -52% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
11.6
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
6.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
47
31
読み出し速度、GB/s
9.7
11.6
書き込み速度、GB/秒
6.8
7.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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1972
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