SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 47
    Por volta de -52% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.6 left arrow 9.7
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.7 left arrow 6.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 10600
    Por volta de 1.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    47 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.7 left arrow 11.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    6.8 left arrow 7.7
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1549 left arrow 1972
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RAM 2

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