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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

総合得点
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 41
    周辺 -21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1484 left arrow 2584

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