RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
41
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2584
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link