RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
41
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2584
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link