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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

総合得点
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

Kingston XRMWRN-MIE2 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Kingston XRMWRN-MIE2 16GB 考慮すべき理由
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 42
    周辺 -27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.1 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 13.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2535 left arrow 3286

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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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メモリRAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
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DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
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