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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

総合得点
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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB

総合得点
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB 考慮すべき理由
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 52
    周辺 -58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 9.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14900
    周辺 1.43 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    9.9 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 14.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2285 left arrow 3671

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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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