RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
14900
Wokół strony 1.43 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
21300
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2285
3671
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link