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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB vs Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    43 left arrow 44
    周辺 -2% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 7.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.9 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2022 left arrow 2204

SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB RAMの比較

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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
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メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
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メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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