RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB против Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
44
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
44
43
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.4
Скорость записи, Гб/сек
7.9
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2022
2204
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link