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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
総合得点
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
44
周辺 -38% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.6
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
32
読み出し速度、GB/s
12.3
15.6
書き込み速度、GB/秒
7.8
13.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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