RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比較する
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
54
59
周辺 -9% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
6400
周辺 3.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
54
読み出し速度、GB/s
4,723.5
10.4
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
8.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
23400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
2259
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAMの比較
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB RAMの比較
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link