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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

总分
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    54 left arrow 59
    左右 -9% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 2,076.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    23400 left arrow 6400
    左右 3.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 54
  • 读取速度，GB/s
    4,723.5 left arrow 10.4
  • 写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    741 left arrow 2259

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较

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Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
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内存RAM
Mushkin 991586 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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