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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
総合得点
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
5
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
46
周辺 -100% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.7
1,852.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
23
読み出し速度、GB/s
5,535.6
13.6
書き込み速度、GB/秒
1,852.4
6.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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