RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
2339
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link