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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
8.5
テスト平均値
考慮すべき理由
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
66
87
周辺 -32% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
66
読み出し速度、GB/s
3,155.6
16.7
書き込み速度、GB/秒
870.4
8.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
1912
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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