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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 15.4
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 87
    周辺 -172% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 16.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 15.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 3579

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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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