RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 16.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    870.4 left arrow 15.4
    Średnia wartość w badaniach
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    32 left arrow 87
    Wokół strony -172% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 5300
    Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    87 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,155.6 left arrow 16.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    870.4 left arrow 15.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    417 left arrow 3579

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Pamięć RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Pamięć RAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Pamięć RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Pamięć RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Pamięć RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Pamięć RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Pamięć RAM