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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
12.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
87
周辺 -181% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
31
読み出し速度、GB/s
3,155.6
17.6
書き込み速度、GB/秒
870.4
12.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
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