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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
87
左右 -181% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
31
读取速度,GB/s
3,155.6
17.6
写入速度,GB/s
870.4
12.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3084
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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