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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
15.0
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
87
周辺 -190% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
30
読み出し速度、GB/s
3,155.6
16.2
書き込み速度、GB/秒
870.4
15.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3636
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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