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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB

Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 14.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 11.0
    テスト平均値
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB 考慮すべき理由
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 87
    周辺 -129% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 5300
    周辺 4.02 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 14.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 2606

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較

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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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