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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
11.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
87
周辺 -149% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
35
読み出し速度、GB/s
3,155.6
14.8
書き込み速度、GB/秒
870.4
11.2
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2336
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
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