RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
87
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2336
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link