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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Panram International Corporation M424051 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
87
97
周辺 10% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
3
11.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
5.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Panram International Corporation M424051 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
97
読み出し速度、GB/s
3,155.6
11.2
書き込み速度、GB/秒
870.4
5.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
1270
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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