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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
10.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
87
周辺 -156% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
34
読み出し速度、GB/s
3,155.6
10.4
書き込み速度、GB/秒
870.4
7.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
2297
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
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