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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
87
Intorno -156% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
34
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2297
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
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