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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 12.4
    テスト平均値
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 87
    周辺 -89% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 5300
    周辺 4.83 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 2660

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