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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
25.2
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
53
周辺 -112% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
19.5
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
25
読み出し速度、GB/s
3,726.4
25.2
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
19.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
4167
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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