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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
25.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
53
左右 -112% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
25
读取速度,GB/s
3,726.4
25.2
写入速度,GB/s
1,590.1
19.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
4167
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
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