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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
相違点
仕様
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
53
周辺 -66% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.8
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.6
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
32
読み出し速度、GB/s
3,726.4
9.8
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
8.6
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
2271
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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